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IXTH 20N50D
IXTT 20N50D
25
20
Fig. 7. Input Adm ittance
V DS = 30V
14
12
Fig. 8. Trans conductance
V DS = 30V
15
10
8
T J = -40oC
25oC
125oC
10
T J = 125oC
25oC
6
4
5
0
-40oC
2
0
-2
-1
0
1
2
3
0
5
10
15
20
25
30
60
V G S - V olts
Fig. 9. Sour ce Cur r e nt vs .
Sour ce -To-Dr ain V oltage
1.4
I D - Amperes
Fig. 10. De pe nde nce of Bre ak dow n and
Thr e s hole V oltage s on Te m pe rature
55
50
45
40
35
V GS = -10V
1.3
1.2
V GS(off) @ V DS = 25V
30
25
T J = 125oC
1.1
20
15
10
T J = 25oC
1
0.9
BV DSS @ V GS = -10V
5
0
0.8
0.5
0.6
0.7 0.8
V S D - V olts
0.9
1
-50
-25
0 25 50 75 100
T J - Degrees Centigrade
125
150
11
Fig. 11. Gate Charge
10000
Fig. 12. Capacitance
9
V DS = 250V
7
5
I D = 10A
I G = 10mA
1000
C iss
3
C oss
1
100
-1
-3
-5
10
f = 1MHz
V GS = -10V
C rss
0
20
40 60 80 100
Q G - nanoCoulombs
120
140
0
5
10
15 20 25
V D S - Volts
30
35
40
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
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